0001名無しさん必死だな2020/09/24(木) 15:11:06.81ID:Xgjtd8HT0
走査型電子顕微鏡を使用したTSMCの7 nmノードと比較したIntel 14 nmノード
現在、デスクトップユーザーが利用できるIntelの最高のシリコン製造プロセスは、14 nmノード、特に14 nm +++バリアントです。これは、より高い周波数を実現し、より高速なゲートスイッチングを可能にするいくつかの拡張機能を備えています。これを、TSMCの7 nmノード上に構築されたZen 2アーキテクチャに基づくRyzen 3000シリーズプロセッサとAMDの最高のプロセッサと比較すると、AMDが明らかに有利であると考えるでしょう。まあ、それだけのことです。ドイツのハードウェアオーバークロッカーおよびハッカーであるder8auerは、ある製造レベルのシリコンを別のシリコンと比較することを確認することを決定し、テストにかけました。彼はIntelのCore i9-10900Kプロセッサを使用し、それを走査型電子顕微鏡（SEM）の下でAMDのRyzen 9 3950Xと比較することにしました。
まず、der8auerは両方のチップを受け取り、パッケージから切り離しました。その後、SEMが基板と保護バリア以外のチップをイメージングする作業を行えるように、可能な限りそれらを粉砕するように進めました。その後、導電性接着剤を使用してチップをサンプルホルダーに固定し、SEM電子銃からの高エネルギー電子の浸透を改善しました。可能な限り公平な比較を行うために、彼は両方のプロセッサのL2キャッシュコンポーネントを使用しました。これらは通常、ノードを最もよく表すためです。これは、チップのロジック部分がアーキテクチャによって異なるために発生します。したがって、レベル2のキャッシュは公平な比較を行うために使用されます-その設計ははるかに標準化されています。
結果？さて、Intel 14 nmチップには24 nmのゲート幅のトランジスタが搭載されていますが、AMD / TSMC 7 nmチップには22 nmのゲート幅があります（ゲートの高さもかなり似ています）。TSMCのノードはIntelと比べてそれほど違いはありませんが、TSMCの7 nmはトランジスタ密度が約90 MT /mm2（1平方ミリメートルあたり100万トランジスタ）のチップを生成します。最近のモバイルプロセッサ。以下に、SEM画像と比較を示します。詳細と詳細については、ソースをご覧ください。
ここで注目すべきもう1つの興味深い点は、ゲート幅が予想どおりの命名規則に従っていないことです。14 nmトランジスタの幅は14 nmではなく、7 nmトランジスタの幅は7 nmではありません。ノードの命名とノードの実際のサイズにはかなりの歴史があり、命名規則は実際にはメーカー次第です-何よりもマーケティングの仕掛けになっています。これが、研究者が純粋な「nm」の用語以外の半導体技術の別の密度測定基準をすでに提案している理由です。
https://www.techpowerup.com/img/8HWHGnfKwmSrYzeA.jpg
https://www.techpowerup.com/img/Io0d68NgnNPrL0Uo.jpg
https://www.techpowerup.com/img/pRxKAI7bUvRsEekg.jpg
https://www.techpowerup.com/272489/intel-14-nm-node-compared-to-tsmcs-7-nm-node-using-scanning-electron-microscope
現在、デスクトップユーザーが利用できるIntelの最高のシリコン製造プロセスは、14 nmノード、特に14 nm +++バリアントです。これは、より高い周波数を実現し、より高速なゲートスイッチングを可能にするいくつかの拡張機能を備えています。これを、TSMCの7 nmノード上に構築されたZen 2アーキテクチャに基づくRyzen 3000シリーズプロセッサとAMDの最高のプロセッサと比較すると、AMDが明らかに有利であると考えるでしょう。まあ、それだけのことです。ドイツのハードウェアオーバークロッカーおよびハッカーであるder8auerは、ある製造レベルのシリコンを別のシリコンと比較することを確認することを決定し、テストにかけました。彼はIntelのCore i9-10900Kプロセッサを使用し、それを走査型電子顕微鏡（SEM）の下でAMDのRyzen 9 3950Xと比較することにしました。
まず、der8auerは両方のチップを受け取り、パッケージから切り離しました。その後、SEMが基板と保護バリア以外のチップをイメージングする作業を行えるように、可能な限りそれらを粉砕するように進めました。その後、導電性接着剤を使用してチップをサンプルホルダーに固定し、SEM電子銃からの高エネルギー電子の浸透を改善しました。可能な限り公平な比較を行うために、彼は両方のプロセッサのL2キャッシュコンポーネントを使用しました。これらは通常、ノードを最もよく表すためです。これは、チップのロジック部分がアーキテクチャによって異なるために発生します。したがって、レベル2のキャッシュは公平な比較を行うために使用されます-その設計ははるかに標準化されています。
結果？さて、Intel 14 nmチップには24 nmのゲート幅のトランジスタが搭載されていますが、AMD / TSMC 7 nmチップには22 nmのゲート幅があります（ゲートの高さもかなり似ています）。TSMCのノードはIntelと比べてそれほど違いはありませんが、TSMCの7 nmはトランジスタ密度が約90 MT /mm2（1平方ミリメートルあたり100万トランジスタ）のチップを生成します。最近のモバイルプロセッサ。以下に、SEM画像と比較を示します。詳細と詳細については、ソースをご覧ください。
ここで注目すべきもう1つの興味深い点は、ゲート幅が予想どおりの命名規則に従っていないことです。14 nmトランジスタの幅は14 nmではなく、7 nmトランジスタの幅は7 nmではありません。ノードの命名とノードの実際のサイズにはかなりの歴史があり、命名規則は実際にはメーカー次第です-何よりもマーケティングの仕掛けになっています。これが、研究者が純粋な「nm」の用語以外の半導体技術の別の密度測定基準をすでに提案している理由です。
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