2017/06/06 20:04
＞ソニーが100Gビット級の新型メモリー、DRAMとNANDの間
＞https://tech.nikkeibp.co.jp/dm/atcl/news/16/060607861/

＞クロスポイント型のReRAMをVLSIシンポジウムで発表

＞ソニーセミコンダクタソリューションズは、100Gビット級の集積化が可能と
＞するクロスポイント型のReRAM技術を開発した。
＞半導体（VLSI）関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」で発表した。
＞DRAMとNANDフラッシュメモリーの間の集積度・コスト・性能などのギャップを
＞埋めるストレージ・クラス・メモリー（SCM）としての利用を想定する。

SIEはこれを独占で使いたいんだろうけど、吉田社長はそんなアホな決定せんわな！
とっとと外販して、半導体の独占分野拡大頑張って欲しいで！